Number of the records: 1
Technology and performance of 150nm gate length InGaP/InGaAs/GaAs pHEMT
Title Technology and performance of 150nm gate length InGaP/InGaAs/GaAs pHEMT Author Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Škriniarová Jaroslava Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Fox A. Tomáška M. Mozolová Želmíra SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováčik Tomáš SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Source document Vacuum. Vol. 61 (2001), p. 323-327 Language eng - English Document kind rozpis článkov z periodík (rbx) Citations LI, A.Z. - CHEN, Y.Q. - CHEN, J.X. - QI, M. - LIU, X.C. - CHEN, J. - WANG, R.M. - WANG, W.L. - LI, W.X. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. ISSN 0022-0248, APR 2003, vol. 251, no. 1-4, p. 816-821. MIL'SHTEIN, S. - CHURI, A. - GIL, C. In MICROELECTRONICS JOURNAL. MAR 2009, vol. 40, no. 3, Sp. Iss. SI, p. 554-557. Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2001 
article
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2001
Number of the records: 1