Number of the records: 1  

Influence of off-state stress on electrical properties of Al0,19Ga0,81N/GaN heterostructure field effect transistor

  1. TitleInfluence of off-state stress on electrical properties of Al0,19Ga0,81N/GaN heterostructure field effect transistor
    Author Florovič M.
    Co-authors Kováč Ján

    Škriniarová Jaroslava

    Donoval D.

    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Paszkiewicz R.

    Tlaczala M.

    Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Source document / Pudiš D. ; Harmatha L. ; Müllerová J. ; Jamnický I. . P. 45-48 APCOM 2009 : proceedings of the 15th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter, held in KRÚ Bystrá, Liptovský Ján, Slovak Republic, June 24-26, 2009. - Žilina : University of Žilina, 2009
    Languageeng - English
    CountrySK - Slovak Republic
    Document kindrozpis článkov z periodík (rzb)
    CategoryAED - Scientific papers in domestic peer-reviewed proceedings, monographs
    Category of document (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Type of documentpríspevok
    Year2009
    article

    article

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2009
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.