Electrical properties of Al0,3Ga0,7N/GaN heterostructure field effect transistor

Number of the records: 1

Title	Electrical properties of Al0,3Ga0,7N/GaN heterostructure field effect transistor
Author	Florovič M.
Co-authors	Kováč Ján
	Škriniarová Jaroslava
	Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Donoval D.
	Kinder R.
	Tomáška M.

Source document	/ Vajda J. ; Weiss M. APCOM 2010 : proceedings of the 16th International Conference on Applied Physics of Condensed matter. P. 205-209. - Bratislava : Slovenská technická univerzita v Bratislave, 2010
Language	eng - English
Country	SK - Slovak Republic
Document kind	rozpis článkov z periodík (rzb)
Category	AED - Scientific papers in domestic peer-reviewed proceedings, monographs
Category of document (from 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Type of document	príspevok
Year	2010

article

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2010

Number of the records: 1