Number of the records: 1  

Indentation size effect in basal and prismatic planes of Si3N4 crystals

  1. TitleIndentation size effect in basal and prismatic planes of Si3N4 crystals
    Author Csehová Erika SAVMATVY - Ústav materiálového výskumu SAV
    Co-authors Naughton-Duszová Annamária 1983 SAVMATVY - Ústav materiálového výskumu SAV    SCOPUS    SCOPUS

    Hvizdoš Pavol 1965 SAVMATVY - Ústav materiálového výskumu SAV    SCOPUS    ORCID

    Lofaj František 1960 SAVMATVY - Ústav materiálového výskumu SAV    SCOPUS    ORCID

    Dusza Ján 1952 SAVMATVY - Ústav materiálového výskumu SAV    SCOPUS    SCOPUS

    Šajgalík Pavol 1955 SAVANOCH - Ústav anorganickej chémie SAV    RID    ORCID

    Source document Chemické listy. Roč. 105 (2011), s. s783-s784
    Languageeng - English
    CountryCZ - Czech Republic
    Document kindrozpis článkov z periodík (rbx)
    CitationsŞAHIN, O. - GÜDER, H. S. - UZUN, O. - SAHIN, E. - SOPICKA-LIZER, M. - GÖÇMEZ, H. - ARTUNC, E. Preparation of fine-grained silicon-nitride ceramics and their characterization by depth-sensing indentation tests. In Acta Physica Polonica A. ISSN 05874246, 2015-01-01, 128, 2, pp. 355-359.
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2011
    Registered inWOS
    Registered inSCOPUS
    Registered inCCC
    article

    article

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201120100.620Q40.170Q3
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.