Number of the records: 1
Effect of HCl pretreatment on the oxide/semiconductor interface state density in AlGaN/GaN MOS-HEMT structures with MOCVD grown Al2O3 gate dielectric
Title Effect of HCl pretreatment on the oxide/semiconductor interface state density in AlGaN/GaN MOS-HEMT structures with MOCVD grown Al2O3 gate dielectric Author Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Co-authors Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Source document ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 207-210. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981 Language eng - English Document kind rozpis článkov z periodík (rzb) Category ADMB - Scientific papers in foreign non-impacted journals registered in Web of Sciences or Scopus Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2016 Registered in WOS Registered in SCOPUS DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805931 
article
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore N rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2016
Number of the records: 1