Number of the records: 1
Technology and application of in-situ AlOx layers on III-V semiconductors
Title Technology and application of in-situ AlOx layers on III-V semiconductors Author Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV ORCID Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregor M. Brytavskyi E. Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Source document Applied Surface Science. Vol. 461 (2018), p. 33-38 Language eng - English Document kind rozpis článkov z periodík (rbx) Citations SA, Z.X. - LIU, F.J. - ZHUANG, X.M. - YIN, Y.X. - LV, Z.T. - WANG, M.X. - ZHANG, J. - SONG, K.P. - CHEN, F. - YANG, Z.X. Toward High Bias-Stress Stability P-Type GaSb Nanowire Field-Effect-Transistor for Gate-Controlled Near-Infrared Photodetection and Photocommunication. In ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. ISSN 1616-301X, SEP 2023, vol. 33, no. 38. Dostupné na: https://doi.org/10.1002/adfm.202304064. Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2018 Registered in WOS Registered in SCOPUS Registered in CCC DOI 10.1016/j.apsusc.2018.06.229 article
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2018 2017 4.439 Q1 1.093 Q1
Number of the records: 1