Number of the records: 1
Growth and properties of Ga2O3 on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD
Title Growth and properties of Ga2O3 on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD Author Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Source document Proceedings of ADEPT 2021 : 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia. P. 47-50. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022 / Feiler M. ; Ziman M. ; Kováčová S. ; Kováč Jaroslav Jr. Language eng - English Country SK - Slovak Republic Document kind rozpis článkov z periodík (rzb) Category AFD - Published papers from domestic scientific conferences Category of document (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Type of document príspevok z podujatia Year 2022 
article
File name Access Size Downloaded Type License Growth and properties of Ga2O3 on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD.pdf available 605.9 KB 2 Publisher's version rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2022
Number of the records: 1