Number of the records: 1  

Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN

  1. TitleInterface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN
    Author Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Co-authors Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Source document ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
    Languageeng - English
    CountryUS - United States of America
    Document kindrozpis článkov z periodík (rzb)
    CategoryAFD - Published papers from domestic scientific conferences
    Category of document (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Type of documentpríspevok z podujatia
    Year2022
    article

    article

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2022
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.