Number of the records: 1  

Material properties of MOCVD-grown β- and κ-Ga2O3 thin films on 4H-SiC substrates

  1. TitleMaterial properties of MOCVD-grown β- and κ-Ga2O3 thin films on 4H-SiC substrates
    Author Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Zheng X

    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV    ORCID

    Nádaždy Peter 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Pomeroy J.W.

    Kuball M.

    Gucmann Filip 1987 SAVELEK ; SAVCEMEA - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Source document Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 87-90. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr.
    Languageeng - English
    CountrySK - Slovak Republic
    Document kindrozpis článkov z periodík (rzb)
    CategoryAFD - Published papers from domestic scientific conferences
    Category of document (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Type of documentpríspevok z podujatia
    Year2023
    article

    article

    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Material properties of MOCVD-grown.pdfNeprístupný/archív329 KB0Publisher's version
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2023
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.