Number of the records: 1
Vertical GaN transistor with semi-insulating channel
Title Vertical GaN transistor with semi-insulating channel Author Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Chvála A. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Source document Physica Status Solidi A : applications and materials science : Special Issue: Nitride Semiconductors. Vol. 220 (2023), no. SI2200776 Language eng - English Country DE - Germany Document kind rozpis článkov z periodík (rbx) Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok z podujatia Year 2023 Registered in WOS Registered in SCOPUS Registered in CCC DOI 10.1002/pssa.202200776 
article
File name Access Size Downloaded Type License Vertical GaN Transistor with Semi-Insulating Channe.pdf Neprístupný/archív 1 MB 4 Publisher's version rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2023 2022 2 Q3 0.477 Q2
Number of the records: 1