Number of the records: 1
Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices
Title Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices : Special Collection: Gallium Oxide Materials and Devices Author Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zheng X Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV ORCID Nádaždy Peter 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pomeroy J.W. Kuball M. Gucmann Filip 1987 SAVELEK ; SAVCEMEA - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Source document . Vol. 41 (2023), no. 042708 Journal of Vacuum Science and Technology A Language eng - English Country US - United States of America Document kind rozpis článkov z periodík (rbx) Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2023 Registered in WOS Registered in SCOPUS Registered in CCC DOI 10.1116/6.0002649 
article
File name Access Size Downloaded Type License Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by.pdf available 5.2 MB 4 Publisher's version rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2023 2022 2.9 Q2 0.55 Q2
Number of the records: 1