Number of the records: 1  

Electrical properties of detector Schottky diodes based on 4H-SiC high quality epitaxial layer

  1. TitleElectrical properties of detector Schottky diodes based on 4H-SiC high quality epitaxial layer
    Author Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Co-authors Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Šagátová A.

    Sekáčová Mária 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Nečas V.

    Source document AIP Conference Proceedings : Applied Physics of Condensed Matter (APCOM 2019). Vol. 2131 (2019), no. 020054
    Languageeng - English
    Document kindrozpis článkov z periodík (rbx)
    CategoryADMB - Scientific papers in foreign non-impacted journals registered in Web of Sciences or Scopus
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2019
    Registered inWOS
    Registered inSCOPUS
    DOI 10.1063/1.5119507
    article

    article

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    N
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201920180.182
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.