Number of the records: 1  

Preparation and properties of edge QW delta doped InGaAs/GaAs FET

  1. TitlePreparation and properties of edge QW delta doped InGaAs/GaAs FET
    Author Bujdák M.
    Co-authors Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Harman R.

    Kostič Ivan 1955- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID    ORCID

    Hudek Peter 1953- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID    ORCID

    Németh Štefan

    Source document / Kordoš Peter ; Novák Jozef 1951 . P. 255-258 Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD '97 : Proceedings of the Conference. - Dordrecht : Kluwer Academic Publ., 1998
    Languageeng - English
    CountryDE - Germany
    Document kindrozpis článkov z periodík (rzb)
    CategoryAEC - Scientific papers in foreign peer-reviewed proceedings, monographs
    Category of document (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Type of documentpríspevok
    Year1998
    Registered inWOS
    article

    article

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    1998
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.