Use of a CCl2F2/H2 plasma plasma for the reactive ion etching of GaAs

Number of the records: 1

Title	Use of a CCl2F2/H2 plasma plasma for the reactive ion etching of GaAs
Author	Horniaková Anna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Co-authors	Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

Source document	Vacuum. Vol. 44, (1993), p. 123
Language	eng - English
Country	UK
Document kind	rozpis článkov z periodík (rbx)
Keywords	plasma * GaAs * CCl2F2/H2 * elektrotechnika slaboprúdová
Category	ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
Category of document (from 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Type of document	článok
Year	1993

article

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
1993

Number of the records: 1