Gate leakage reduction of AlGaN/GaN MOS-HFETs with HfO2 prepared by ALD

Number of the records: 1

Title	Gate leakage reduction of AlGaN/GaN MOS-HFETs with HfO2 prepared by ALD
Author	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Co-authors	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kordoš Peter

Source document	ASDAM 2014 : The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 133-136. - : IEEE, 2014 / Breza Juraj ; Donoval Daniel ; Vavrinský E.
Language	slo - Slovak
Document kind	rozpis článkov z periodík (rzb)
Category	AFC - Published papers from foreign scientific conferences
Year	2014

article

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2014

Number of the records: 1