A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation

Number of the records: 1

Title	A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation
Author	Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Co-authors	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Vančo L.
	Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^ORCID
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kováč Jaroslav Jr.
	Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^SCOPUS ^ORCID
	Kuball M.
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Source document	CrystEngComm. Vol. 22 (2020), p. 130-141
Language	eng - English
Document kind	rozpis článkov z periodík (rbx)
Category	ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
Category of document (from 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Type of document	článok
Year	2020
Registered in	WOS
Registered in	SCOPUS
Registered in	CCC
DOI	10.1039/c9ce01549c

article

	File name	Access	Size	Downloaded	Type	License
	A systematic study of MOCVD reactor conditions.pdf	Neprístupný/archív	5.7 MB	0	Publisher's version

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2020	2019	3.117	Q2	0.814	Q1

Number of the records: 1