Number of the records: 1  

Thermal properties of Ga2O3 films and interfaces grown by MOCVD

  1. TitleThermal properties of Ga2O3 films and interfaces grown by MOCVD
    Author Yuan C.
    Co-authors Mao Y.

    Meng Baozhong

    Yang Xiaojun

    Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Source document Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 36-39. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr.
    Languageeng - English
    CountrySK - Slovak Republic
    Document kindrozpis článkov z periodík (rzb)
    CategoryAFD - Published papers from domestic scientific conferences
    Category of document (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Type of documentpríspevok z podujatia
    Year2023
    article

    article

    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Thermal properties of Ga2O3 films and interfaces.pdfavailable214 KB0Author's preprint
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2023
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.