Number of the records: 1  

Conductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused by (010) β-Ga2O3 filament-shaped inclusions

  1. TitleConductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused by (010) β-Ga2O3 filament-shaped inclusions
    Author Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Co-authors Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Source document Journal of Physics D: Applied Physics. Vol. 56 (2023), no. 045102
    Languageeng - English
    CountryGB - Great Britian
    Document kindrozpis článkov z periodík (rbx)
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    Registered inWOS
    Registered inSCOPUS
    Registered inCCC
    DOI 10.1088/1361-6463/aca775
    article

    article

    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Conductance anisotropy of MOCVD-grown.pdfNeprístupný/archív2.8 MB0Publisher's version
    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    202320223.4Q20.689Q1
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.