Number of the records: 1  

Electrical properties of Al0,3Ga0,7N/GaN heterostructure field effect transistor

  1. TitleElectrical properties of Al0,3Ga0,7N/GaN heterostructure field effect transistor
    Author Florovič M.
    Co-authors Kováč Ján

    Škriniarová Jaroslava

    Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Donoval D.

    Kinder R.

    Tomáška M.

    Source document / Vajda J. ; Weiss M. APCOM 2010 : proceedings of the 16th International Conference on Applied Physics of Condensed matter. P. 205-209. - Bratislava : Slovenská technická univerzita v Bratislave, 2010
    Languageeng - English
    CountrySK - Slovak Republic
    Document kindrozpis článkov z periodík (rzb)
    CategoryAED - Scientific papers in domestic peer-reviewed proceedings, monographs
    Category of document (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Type of documentpríspevok
    Year2010
    article

    article

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2010
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.