Number of the records: 1  

III-As high electron mobility transistors with recessed ex-situ gate oxide

  1. TitleIII-As high electron mobility transistors with recessed ex-situ gate oxide
    Author Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Co-authors Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Liday J.

    Vogrinčič P.

    Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Source document / Pudiš D. ; Šušlík Ľ. ; Kováč J., jr. ; Flickyngerová S. ; Lettrichová I. Proceedings of ADEPT : 2nd International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 5-8. - Žilina : University of Žilina, 2014 ; International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies ADEPT 2014
    Languageslo - Slovak
    Document kindrozpis článkov z periodík (rzb)
    CategoryAFD - Published papers from domestic scientific conferences
    Year2014
    article

    article

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2014
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.