Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN

Number of the records: 1

Title	Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN
Author	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Co-authors	Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Source document	ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
Language	eng - English
Country	US - United States of America
Document kind	rozpis článkov z periodík (rzb)
Category	AFD - Published papers from domestic scientific conferences
Category of document (from 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Type of document	príspevok z podujatia
Year	2022

article

	File name	Access	Size	Downloaded	Type	License
	Interface states analysis of Al2O3GaN MOS capacitors with semi-insulating.pdf	Neprístupný/archív	374.4 KB	0	Author's preprint

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2022

Number of the records: 1