Number of the records: 1
III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap
Title III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap Author Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Co-authors Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Liday J. Vogrinčič P. Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Source document Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 33, (2015), 01A111, Microelectronics and Nanometer Structures Language eng - English Document kind rozpis článkov z periodík (rbx) Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2015 Registered in WOS Registered in SCOPUS Registered in CCC DOI 10.1116/1.4905938 
article
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2015 2014 1.464 Q2 0.509 Q2
Number of the records: 1