Number of the records: 1
Off-state stress investigation of InAlN/GaN HFETs with different AlN buffer layer
Title Off-state stress investigation of InAlN/GaN HFETs with different AlN buffer layer Author Florovič M. Co-authors Kováč Ján Behmenburg H. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Škriniarová Jaroslava Donoval D. Source document ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 97-100. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Language eng - English Document kind rozpis článkov z periodík (rzb) Category AEC - Scientific papers in foreign peer-reviewed proceedings, monographs Category of document (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Type of document príspevok Year 2010 
article
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2010
Number of the records: 1