Number of the records: 1
Hafnium oxide as a promising material for gate isolation in GaN-based MOS HFETs
Title Hafnium oxide as a promising material for gate isolation in GaN-based MOS HFETs Author Brytavskyi I.V. Co-authors Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Source document ADEPT 2017 : proceedings of the 5th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19-22, 2017. P. 207-210. - Žilina : University of Žilina, 2017 / Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. Language eng - English Document kind rozpis článkov z periodík (rzb) Category AFD - Published papers from domestic scientific conferences Year 2017 
article
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2017
Number of the records: 1