Search results

Records found: 8  
Your query: Author Sysno = "^sav_un_auth 0202187^"
  1. TitleStudy of Pharmaceutical Samples using Optical Emission Spectroscopy and Microscopy
    Author Dwivedi V.
    Co-authors Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Maurya G.S.
    Roldán A.M.
    Veis Pavel
    Pathak A.K.
    Source document Laser Physics. Vol. 32, iss. 7 (2022), no. 075604
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    DOI 10.1088/1555-6611/ac641c
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Study of Pharmaceutical Samples using Optical.pdfNeprístupný/archív1.9 MB0Publisher's version
    article

    article

  2. TitleGrowth evolution of N-polar Indium-rich InAlN layer on c-sapphire via strain relaxation by ultrathin AlON interlayer
    Author Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Minj A.
    Chauvat M.-P.
    Ruterana P.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Applied Surface Science. Vol. 502 (2020), no. 144086
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2020
    DOI 10.1016/j.apsusc.2019.144086
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Radiation hardness limits in gamma spectrometry of semi-insulating GaAs.pdfNeprístupný/archív4 MB1Publisher's version
    article

    article

  3. TitleA systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation
    Author Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav Jr.
    Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuball M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document CrystEngComm. Vol. 22, no. 1 (2020), p. 130-141
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2020
    DOI 10.1039/c9ce01549c
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    A systematic study of MOCVD reactor conditions.pdfNeprístupný/archív5.7 MB0Publisher's version
    article

    article

  4. TitleGeneration of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures
    Author Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Veselý M.
    Bouazzaoui F.
    Chauvat M.-P.
    Ruterana P.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Action VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021
    Source document Applied Physics Express. Vol. 12 (2019), no. 014001
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2019
    DOI 10.7567/1882-0786/aaef41
    URLURL link
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Generation of hole gas in non-inverted InAl.pdfNeprístupný/archív605.7 KB0Publisher's version
    article

    article

  5. TitleEvidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD
    Author Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chauvat M.-P.
    Minj A.
    Gucmann Filip 1987
    Vančo L.
    Kováč Jaroslav Jr.
    Kret S.
    Ruterana P.
    Kuball M.
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Journal of Applied Physics. Vol. 125, no. 10 (2019), 105304
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2019
    DOI 10.1063/1.5079756
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Evidence of relationship between strain and In.pdfNeprístupný/archív2.3 MB0Publisher's version
    Evidence of relationship between strain and In-incorporation growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD.pdfavailable1.6 MB11Postprint
    article

    article

  6. TitleEffect of temperature and carrier gas on the properties of thick InxAl1-xN layer
    Author Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Applied Surface Science. Vol. 470 (2019), p. 1-7
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2019
    DOI 10.1016/j.apsusc.2018.10.231
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Effect of temperature and carrier gas on the properties of thick N layer.pdfavailable3.2 MB0Publisher's version
    article

    article

  7. NázovNon-conventional scans in high-resolution X-ray diffraction analysis of epitaxial systems
    Autor Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia VEGA 2/0092/18. vedúci projektu Zápražný, Zdenko : 2018-2020
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 461 (2018), p. 23-32
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2018
    DOI 10.1016/j.apsusc.2018.07.009
    article

    article

  8. NázovStudy of surface morphology and optical properties of InAlN epilayers grown on c-sapphire at different temperatures by MOCVD
    Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hulman Martin 1967 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. ADEPT 2017 : proceedings of the 5th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19-22, 2017. P. 125-128. - Žilina : University of Žilina, 2017 / Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2017
    article

    article



  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.