Search results

Records found: 60  
Your query: Author Sysno = "^sav_un_auth 0175492^"
  1. TitlePhase-dependent phonon heat transport in nanoscale gallium oxide thin films
    Author Xiao Xiaoyi
    Co-authors Mao Y.
    Meng Baozhong
    Ma Guozhong
    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Yuan C.
    Source document Small. Vol. 20 (2024), no. 2309961
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2024
    DOI 10.1002/smll.202309961
    article

    article

  2. TitleLiquid-injection MOCVD-grown Ga2O3 on sapphire and 4H-SiC substrates: Material, transport, and MOSFET properties
    Author Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chouhan Hemendra SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Action APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025
    APVV 21-0231. vedúci projetu: Ťapajna, M. : 2022-2026
    VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024
    Source document IMFEDK 2023 : International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai. P. IN10. - : IEEE, 2023
    CategoryAFA - Published invited papers from foreign scientific conferences
    Category of document (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Type of documentpríspevok z podujatia
    Year2024
    DOI 10.1109/IMFEDK60983.2023.10366336
    article

    article

  3. TitleThermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD
    Author Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Priesol J.
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šatka A.
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107289
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    DOI 10.1016/j.mssp.2022.107289
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD.pdfNeprístupný/archív9.9 MB0Publisher's version
    article

    article

  4. TitleGrowth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire
    Author Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Blaho Michal 1983
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107290
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    DOI 10.1016/j.mssp.2022.107290
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire.pdfNeprístupný/archív3.9 MB0Publisher's version
    article

    article

  5. TitleStructure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD
    Author Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mikolášek M.
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Materials. Vol. 16 (2023), no. 20
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    DOI 10.3390/ma16010020
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Structure and thermal stability.pdfavailable5.9 MB0Publisher's version
    article

    article

  6. TitleHeteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices : Special Collection: Gallium Oxide Materials and Devices
    Author Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zheng X
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pomeroy J.W.
    Kuball M.
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Action APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025
    VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024
    DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023
    ITMS2014+: 313021T081. Vybudovanie Centra pre využitie pokročilých materiálov Slovenskej akadémie vied : 2017-2023 : Úrad SAV : BMC SAV
    Source document . Vol. 41 (2023), no. 042708 Journal of Vacuum Science and Technology A
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    DOI 10.1116/6.0002649
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by.pdfPrístupný5.2 MB3Vydavateľská verzia
    article

    article

  7. NázovElectron transport properties in thin InN layers grown on InAlN
    Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 155 (2023), no. 107250
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1016/j.mssp.2022.107250
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Electron transport properties in thin InN layers grown on InAlN.pdfNeprístupný/archív2 MB0Vydavateľská verzia
    Hulman Martin 1967 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hutár Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    article

    article

  8. NázovMaterial properties of MOCVD-grown β- and κ-Ga2O3 thin films on 4H-SiC substrates
    Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zheng X
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pomeroy J.W.
    Kuball M.
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025
    VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024
    DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 87-90. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    article

    article

  9. NázovThermal properties of Ga2O3 films and interfaces grown by MOCVD
    Autor Yuan C.
    Spoluautori Mao Y.
    Meng Baozhong
    Yang Xiaojun
    Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025
    VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 36-39. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    article

    article

  10. NázovConductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused by (010) β-Ga2O3 filament-shaped inclusions
    Autor Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Physics D: Applied Physics. Vol. 56 (2023), no. 045102
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1088/1361-6463/aca775
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Conductance anisotropy of MOCVD-grown.pdfNeprístupný/archív2.8 MB0Vydavateľská verzia
    article

    article


  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.