Search results
Title Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices : Special Collection: Gallium Oxide Materials and Devices Author Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zheng X Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pomeroy J.W. Kuball M. Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Action APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025 VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024 DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023 ITMS2014+: 313021T081. Vybudovanie Centra pre využitie pokročilých materiálov Slovenskej akadémie vied : 2017-2023 : Úrad SAV : BMC SAV Source document . Vol. 41 (2023), no. 042708 Journal of Vacuum Science and Technology A Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2023 DOI 10.1116/6.0002649 File name Access Size Downloaded Type License Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by.pdf available 5.2 MB 3 Publisher's version 
article
Title Material properties of MOCVD-grown β- and κ-Ga2O3 thin films on 4H-SiC substrates Author Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zheng X Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pomeroy J.W. Kuball M. Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Action APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025 VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024 DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023 Source document Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 87-90. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr. Category AFD - Published papers from domestic scientific conferences Category of document (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Type of document príspevok z podujatia Year 2023 article
Title Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device thermography Author Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Pomeroy J.W. Kuball M. Source document Nano Today. Vol. 39 (2021), no. 101206 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2021 DOI 10.1016/j.nantod.2021.101206 File name Access Size Downloaded Type License Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale_supplem.pdf available 596 KB 1 Author's preprint Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale.pdf available 1.3 MB 1 Author's preprint Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device.pdf Neprístupný/archív 107 KB 3 Publisher's version article
Title A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation Author Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vančo L. Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Jr. Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Source document CrystEngComm. Vol. 22, no. 1 (2020), p. 130-141 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2020 DOI 10.1039/c9ce01549c File name Access Size Downloaded Type License A systematic study of MOCVD reactor conditions.pdf Neprístupný/archív 5.7 MB 0 Publisher's version article
Title Evidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD Author Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Chauvat M.-P. Minj A. Gucmann Filip 1987 Vančo L. Kováč Jaroslav Jr. Kret S. Ruterana P. Kuball M. Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Source document Journal of Applied Physics. Vol. 125, no. 10 (2019), 105304 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2019 DOI 10.1063/1.5079756 File name Access Size Downloaded Type License Evidence of relationship between strain and In.pdf Neprístupný/archív 2.3 MB 0 Publisher's version Evidence of relationship between strain and In-incorporation growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD.pdf available 1.6 MB 11 Postprint article
Title Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface Author Liang J. Co-authors Zhou Yi Masuya S. Gucmann Filip 1987 Singh M. Pomeroy J.W. Kim Sora Kuball M. Kasu M. Shigekawa N. Source document Diamond and Related Materials. Vol. 93 (2019), p. 187-192 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2019 DOI 10.1016/j.diamond.2019.02.015 article
Title Hot-electron-related degradation in InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Author Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Killat N. Palankovski V. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Source document IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 2793-2801 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2014 DOI 10.1109/TED.2014.2332235 article
Title Effects of gate shaping and consequent process changes on AlGaN/GaN HEMT reliability Author Moereke J. Co-authors Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Uren M.J. Pei Y. Mishra Umesh K. Kuball M. Source document Physica status solidi A. Applications and materials science. Vol. 209, (2013), p. 2646-2652 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2013 DOI 10.1002/pssa.201228395 article
Title Non-arrhenius degradation of AlGaN/GaN HEMTs grown on bulk GaN substrates Author Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Killat N. Moereke J. Paskova T. Evans Kevin R. Leach J. Li X. Ozgur U. Morkoc H. Chabak K.D. Crespo A. Gillespie J.K. Fitch R. Kossler M. Walker D.E. Trejo M. Via G.D. Blevins J.D. Kuball M. Source document IEEE Electron Devices Letters. Vol. 33, (2012), p. 1126-1128 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2012 DOI 10.1109/LED.2012.2199278 article
Title On the discrimination between bulk and surface traps in AlGaN/GaN HEMTs from trapping characteristics Author Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Jimenez J.L. Kuball M. Source document Physica status solidi A. Vol. 209, (2012), p. 386-389 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2012 DOI 10.1002/pssa.201127398 article