Search results

Records found: 196  
Your query: Author Sysno = "^sav_un_auth 0000039^"
  1. TitleGrowth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire
    Author Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Blaho Michal 1983
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107290
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    DOI 10.1016/j.mssp.2022.107290
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire.pdfNeprístupný/archív3.9 MB0Publisher's version
    article

    article

  2. TitleElectron transport properties in thin InN layers grown on InAlN
    Author Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Materials science in semiconductor processing. Vol. 155 (2023), no. 107250
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    DOI 10.1016/j.mssp.2022.107250
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Electron transport properties in thin InN layers grown on InAlN.pdfNeprístupný/archív2 MB0Publisher's version
    article

    article

  3. TitleVertical GaN transistor with semi-insulating channel
    Author Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hashizume T.
    Chvála A.
    Šatka A.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Physica Status Solidi A : applications and materials science : Special Issue: Nitride Semiconductors. Vol. 220 (2023), no. SI2200776
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok z podujatia
    Year2023
    DOI 10.1002/pssa.202200776
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Vertical GaN Transistor with Semi-Insulating Channe.pdfNeprístupný/archív1 MB0Publisher's version
    article

    article

  4. TitleMg doping of N-polar, in-rich InAlN
    Author Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vincze A.
    Action VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025
    Source document Materials. Vol. 16 (2023), no. 2250
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2023
    DOI 10.3390/ma16062250
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Mg Doping of N-Polar, In-Rich InAlN.pdfavailable2.5 MB1Publisher's version
    article

    article

  5. TitleIn(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD
    Author Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Action VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025
    Source document Nanomaterials-Basel. Vol. 12 (2022), no. 3496
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2022
    DOI 10.3390/nano12193496
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    In(Ga)N 3D Growth on GaN-Buffered On-Axis and Off-Axis (0001) Sapphire Substrates by MOCVD.pdfavailable5.4 MB5Publisher's version
    article

    article

  6. TitleInterface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN
    Author Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
    CategoryAFD - Published papers from domestic scientific conferences
    Category of document (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Type of documentpríspevok z podujatia
    Year2022
    article

    article

  7. TitleMg doping of InAlN layers
    Author Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Gregor M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 147-150. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr.
    CategoryAFD - Published papers from domestic scientific conferences
    Year2021
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Mg doping of InAlN layers.pdfavailable769.2 KB1Publisher's version
    article

    article

  8. TitleInN: breaking the limits of solid-state electronics
    Author Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Adikimenakis A.
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Tsagaraki K.
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Georgakilas A.
    Source document AIP Advances. Vol. 11 (2021), no. 125325
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2021
    DOI 10.1063/5.0066340
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Breaking the limits of solid-state.pdfavailable6.7 MB3Publisher's version
    article

    article

  9. TitleTemperature dependence of Hall-effect mobility of thin InN layers grown by MOCVD on InAlN buffer
    Author Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document Progress in applied surface, interface and thin film science – solar renewable energy news 2021. SURFINT – SREN VII : extended abstract book. P. 65-66. - Bratislava : Comenius Univ., 2021 / Brunner Róbert 1954
    CategoryAFH - Abstracts of papers from domestic conferences
    Year2021
    article

    article

  10. TitleAnalysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: role of deep levels
    Author Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Co-authors Chvála A.
    Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Priesol J.
    Šatka A.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Source document IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68 (2021), no. 2365
    CategoryADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
    Category of document (from 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Type of documentčlánok
    Year2021
    DOI 10.1109/TED.2021.3065893
    File nameAccessSizeDownloadedTypeLicense
    Analysis and Modeling of Vertical Current.pdfNeprístupný/archív1.3 MB1Publisher's version
    article

    article


  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.