Search results
Názov Influence of thin Ga2Se3 interlayer on the properties of GaP/PtSe2 heterojunction Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč J., jr. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč J. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024 APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024 VEGA 2/0104/17. vedúci projektu Novák, Jozef : 2017-2020 Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 24-27. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2023 Interpretative Manual of European Riparian Forest and ShrublandsAutorSpoluautori
Názov MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Kováč Jaroslav Jr. Akcia APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024 APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024 VEGA 2/0104/17. vedúci projektu Novák, Jozef : 2017-2020 Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia. P. 21-24. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022 / Feiler M. ; Ziman M. ; Kováčová S. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide.pdf Prístupný 569.3 KB 2 Vydavateľská verzia Názov Investigation of a nanostructured GaP/MoS2 p-n heterojunction photodiode Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Jr. Kováč Jaroslav Akcia APVV 20-0264. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024 APVV 20-0437. vedúci projetu: J. Novák : 2021-2024 Zdroj.dok. AIP Advances. Vol. 12 (2022), no. 065004 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2022 DOI 10.1063/5.0089842 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Investigation of a nanostructured GaP.pdf Prístupný 4.6 MB 2 Vydavateľská verzia Názov Optical properties of GaAs-based LED with Fresnel structure in the surface Autor Lettrichová I. Spoluautori Pudiš D. Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gaso P. Šušlik Ľ. Jandura D. Ďurišová J. Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Proceedings of the SPIE. Vol. 10142 (2022), no. 101421P Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1117/12.2264454 Názov Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaN/GaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer Autor Mikulics M. Spoluautori Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sofer Z. Mayer J. Hartdegen H. Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 36 (2021), no. 095040 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1088/1361-6641/ac1a28 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaNGaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer.pdf Prístupný 2.7 MB 0 Vydavateľská verzia Názov Near-field analysis of GaP nanocones Autor Pudiš D. Spoluautori Urbancová P. Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzma A. Lettrichová I. Goraus M. Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Jandura D. Šušlik Ľ. Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 539 (2021), no. 148213 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1016/j.apsusc.2020.148213 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Near-field analysis of GaP nanocones.pdf Neprístupný/archív 6.3 MB 1 Vydavateľská verzia Názov Electrical and optical properties of thin ZnO shell layers on GaP nanorods grown by pulsed laser deposition Autor Bruncko J. Spoluautori Kováč Jaroslav Michalka M. Netrvalová M. Kováč Jaroslav Jr. Vincze A. Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Thin Solid Films. Vol. 725 (2021), no. 138634 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1016/j.tsf.2021.138634 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Electrical and optical properties of thin ZnO shell layers on GaP nanorods.pdf Neprístupný/archív 6 MB 2 Vydavateľská verzia Názov Influence of edge rich surface on growth of MoS2 from thin molybdenum layer Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Jr. Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 5-8. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2021 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Influence of edge rich surface on growth of MoS2 from thin molybdenum layer.pdf Prístupný 661.6 KB 2 Vydavateľská verzia Názov Investigation of volume fraction of GaP nanowires by SEM characterization and spectroscopic ellipsometry Autor Škriniarová Jaroslava Spoluautori Hronec P. Chlpík J. Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Jr. Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Andok Robert 1973- SAVINFO - Ústav informatiky SAV Zdroj.dok. Optik : International Journal for Light and Electron Optics. Vol. 234 (2021), no. 166572 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1016/j.ijleo.2021.166572 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Investigation of volume fraction of GaP nanowires by SEM.pdf Neprístupný/archív 3.5 MB 2 Vydavateľská verzia Názov MOS2/GAP heterojunction - formation and properties Autor Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kováč Jaroslav Jr. Kováč Jaroslav Zdroj.dok. Proceedings of the International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 21-24 : ADEPT 2020. - Slovakia : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2020 / Kováč, jr. J. ; Chymo F. ; Feiler M. ; Jandura D. ; International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADPET 2020) Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2020 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence MOS2 GAP heterojunction formation and properties.pdf Prístupný 1.2 MB 0 Vydavateľská verzia