Search results
Title Mg doping of N-polar, in-rich InAlN Author Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Action VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025 Source document Materials. Vol. 16 (2023), no. 2250 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2023 DOI 10.3390/ma16062250 File name Access Size Downloaded Type License Mg Doping of N-Polar, In-Rich InAlN.pdf available 2.5 MB 1 Publisher's version 
article
Title In(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD Author Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Action VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025 Source document Nanomaterials-Basel. Vol. 12 (2022), no. 3496 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2022 DOI 10.3390/nano12193496 File name Access Size Downloaded Type License In(Ga)N 3D Growth on GaN-Buffered On-Axis and Off-Axis (0001) Sapphire Substrates by MOCVD.pdf available 5.4 MB 5 Publisher's version article