Structural and electrical properties of amorphous nitrogen doped SiC thin films annealed by pulsed electron beam

Počet záznamov: 1

Názov	Structural and electrical properties of amorphous nitrogen doped SiC thin films annealed by pulsed electron beam
Autor	Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Šafránková Jaroslava SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hotový I.
	Kobzev A.P.
	Balalykin Nikolay I.

Zdroj.dok.	/ Breza J. ASDAM '98. P. 179-182 : Proceedings of the 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - Piscataway : IEEE, 1998
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok
Rok vykazovania	1998

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
1998

Počet záznamov: 1