Počet záznamov: 1  

Preparation and properties of edge QW delta doped InGaAs/GaAs FET

  1. NázovPreparation and properties of edge QW delta doped InGaAs/GaAs FET
    Autor Bujdák M.
    Spoluautori Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Harman R.

    Kostič Ivan 1955- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID    ORCID

    Hudek Peter 1953- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID    ORCID

    Németh Štefan

    Zdroj.dok. / Kordoš Peter ; Novák Jozef 1951 . P. 255-258 Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD '97 : Proceedings of the Conference. - Dordrecht : Kluwer Academic Publ., 1998
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaDE - Nemecko
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania1998
    Registrované vWOS
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    1998
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.