Material and device issues of GaN-based HEMTs

Počet záznamov: 1

Názov	Material and device issues of GaN-based HEMTs
Autor	Kordoš Peter
Spoluautori	Alam A.
	Betko Július SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Chow P.P.
	Heuken M.
	Javorka P.
	Kocan M.
	Marso M.
	Morvic Marian SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hove J. M. van

Zdroj.dok.	EDMO 2000 : 8th IEEE International Symposium on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications. P. 61-66. - New York : IEEE PRESS, 2000
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
URL	URL link
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Ohlasy	YIGLETU, F.M. - KHANDELWAL, S. - FJELDLY, T.A. - INIGUEZ, B. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. NOV 2013, vol. 60, no. 11, p. 3746-3752.
	SINGH, R. - LENKA, T.R. - NGUYEN, H.P.T. ANALYTICAL STUDY OF EFFECT OF ENERGY BAND PARAMETERS AND LATTICE TEMPERATURE ON CONDUCTION BAND OFFSET IN AlN/Ga2O3 HEMT. In FACTA UNIVERSITATIS-SERIES ELECTRONICS AND ENERGETICS. ISSN 0353-3670, SEP 2021, vol. 34, no. 3, p. 323-332.
Kategória	AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok
Rok vykazovania	2000

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2000

Počet záznamov: 1