Počet záznamov: 1  

á-SiC growth on Si by reactive-ion molecular beam epitaxy

  1. Názová-SiC growth on Si by reactive-ion molecular beam epitaxy
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Zdroj.dok. The Workshop on Solid State Surfaces and Interfaces II : June 20-22, 2000. P. 56 / Brunner Róbert 1954. - Bratislava : FU SAV, 2000
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaSK - Slovenská republika
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaAED - Vedecké práce v domácich recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2000
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2000
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.