Počet záznamov: 1
Unpinning of the Au/GaAs interfacial Fermi level by means of ultra thin
Názov Unpinning of the Au/GaAs interfacial Fermi level by means of ultra thin undoped silicon interlayer inclusio Autor Ivančo Ján 1959 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV SCOPUS RID ORCID Spoluautori Almeida J. Kobayashi H. Margaritondo G. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 87, no. 2 (2000), p. 795-800 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy HAN, S.Y. - CHOI, K.J. - LEE, J.L. - MUN, J.K. - PARK, M. - KIM, H. Electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor Schottky diodes using a photowashing treatment in AlzGa1-xAs/InGaAs (X=0.75) pseudimorphic high electron mobility transistors. In JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. ISSN 1071-1023, SEP-OCT 2003, vol. 21, no. 5, p. 2133-2137. TUNG, R.T. Recent advances in Schottky barrier concepts. In MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING R-REPORTS. ISSN 0927-796X, NOV 9 2001, vol. 35, no. 1-3, p. 1-138. SELZER, Y. - CAHEN, D. Fine tuning of Au/SiO2/Si diodes by varying interfacial dipoles using molecular monolayers. In ADVANCED MATERIALS. ISSN 0935-9648, APR 4 2001, vol. 13, no. 7, p. 508-+. DUBECKY,M.- DUBECKY,F. The work functions of Au/Mg decorated Au. In JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2014, vol. 141, no. 9, 094705. TUNG, R.T. The physics and chemistry of the Schottky barrier height. In APPLIED PHYSICS REVIEWS, 2014, vol. 1, no. 1, 011304. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2000 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2000 1999 2.275
Počet záznamov: 1