Technology and performance of 150nm gate length InGaP/InGaAs/GaAs pHEMT

Počet záznamov: 1

Názov	Technology and performance of 150nm gate length InGaP/InGaAs/GaAs pHEMT
Autor	Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Škriniarová Jaroslava
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Fox A.
	Tomáška M.
	Mozolová Želmíra SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kováčik Tomáš SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

Zdroj.dok.	Vacuum. Vol. 61 (2001), p. 323-327
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	LI, A.Z. - CHEN, Y.Q. - CHEN, J.X. - QI, M. - LIU, X.C. - CHEN, J. - WANG, R.M. - WANG, W.L. - LI, W.X. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. ISSN 0022-0248, APR 2003, vol. 251, no. 1-4, p. 816-821.
	MIL'SHTEIN, S. - CHURI, A. - GIL, C. In MICROELECTRONICS JOURNAL. MAR 2009, vol. 40, no. 3, Sp. Iss. SI, p. 554-557.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2001

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2001

Počet záznamov: 1