Počet záznamov: 1  

Use of a CCl2F2/H2 plasma plasma for the reactive ion etching of GaAs

  1. NázovUse of a CCl2F2/H2 plasma plasma for the reactive ion etching of GaAs
    Autor Horniaková Anna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Zdroj.dok.Vacuum. Vol. 44, (1993), p. 123
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaUK
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    Hesláplasma * GaAs * CCl2F2/H2 * elektrotechnika slaboprúdová
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania1993
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    1993
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.