Počet záznamov: 1  

DLTS, ODLTS and MCTS study of deep traps in the VPE GaAs Schottky barriers

  1. NázovDLTS, ODLTS and MCTS study of deep traps in the VPE GaAs Schottky barriers
    Autor Dubecký František 1946 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Šafránková Jaroslava SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Olejníková Božena SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Szentpali B.

    Zdroj.dok. / Lendway E. . P. 147-152 Gallium Arsenide : Proceedings of the Second Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors. - Aedermannsdorf : Trans. Techn. Publications, 1987
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaCH - Švajčiarsko
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    Systemat.536.425
    HesláGaAs - vlastnosti elektrické * bariery Schottky * Elektrotechnika slaboprúdová
    OhlasySTUCHLIKOVA, L. - GAZI, M. In CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS. ISSN 0011-4626, AUG 1994, vol. 44, no. 8, p. 745-752.
    STUCHLIKOVA, L. - HARMATHA, L. - NAGL, V. - GAZI, M. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH. ISSN 0031-8965, JUL 16 1993, vol. 138, no. 1, p. 241-248.
    SIYANBOLA, W.O. - PALMER, D.W. In SOLID STATE COMMUNICATIONS. ISSN 0038-1098, APR 1990, vol. 74, no. 3, p. 209-213.
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania1987
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    1987
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.