Počet záznamov: 1  

Conduction-band discontinuities of strained and unstrained - layer InxGa1-xAs/GaAs and InxGa1-xAs/inP heterojunctions and quantum wells

  1. NázovConduction-band discontinuities of strained and unstrained - layer InxGa1-xAs/GaAs and InxGa1-xAs/inP heterojunctions and quantum wells
    Autor Hrivnák Ľubomír SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok.Physica Status Solidi A. Vol. 124, (1991), p. K111
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaGR - Grécko
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    HesláInxGa1-xAs/GaAs * InxGa1-xAs/InP
    OhlasyVURGAFTMAN, I. - MEYER, J.R. - RAM-MOHAN, L.R. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-8979, JUN 1 2001, vol. 89, no. 11, Part 1, p. 5815-5875.
    PELA, R.R. - TELES, L.K. - MARQUES, M. - MARTINI, S. In JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. JAN 21 2013, vol. 113, no. 3.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania1991
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    1991
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.