Pb/Si(111)1x1-H Schottky barrier height

Počet záznamov: 1

Názov	Pb/Si(111)1x1-H Schottky barrier height
Autor	Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Hricovíni K.
	Le Lay G.
	Aristov V.Y.

Zdroj.dok.	Fizika A. Vol. 4 (1995), p. 191-197
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	CV - Kapverdy
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Heslá	bariéry Schottky * Pb/Si(111)1x1-H * výskum základný
Ohlasy	HORVATH, Z.J. VACUUM. ISSN 0042-207X, AUG-OCT 1995, vol. 46, no. 8-10, p. 963-966.
	THEBE, M.J. - MOLOI, S.J. - MSIMANGA, M. Changes in electrical properties and conduction mechanisms of Pd/n-Si diodes due to niobium dopant. In MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS. ISSN 0921-5107, NOV 2021, vol. 273.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	1995

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
1995

Počet záznamov: 1