Study of correlation between GaN material properties and the growth conditions of radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy

Počet záznamov: 1

Názov	Study of correlation between GaN material properties and the growth conditions of radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autor	Amimer K.
Spoluautori	Georgakilas A.
	Androulidaki M.
	Tsagaraki K.
	Pavelescu M.
	Mikroulis S.
	Constantinidis G.
	Arbiol J.
	Peiro F.
	Cornet A.
	Calamiotou M.
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Davydov V.Y.

Zdroj.dok.	Materials Science and Engineering, B - Solid-State Materials for Advanced Technology. Vol. 80 (2001), p. 304-308
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	JEON, H.C. - LEE, H.S. - SI, S.M. - JEONG, Y.S. - NA, J.H. - PARK, Y.S. - KANG, T.W. - OH, J.E. Characteristics of GaN epilayer grown on Al2O3 with AlN buffer layer by molecular beam epitaxy. CURRENT APPLIED PHYSICS. ISSN 1567-1739, JUN 2003, vol. 3, no. 4, p. 385-388.
	JEON, H.C. - LEE, S.J. - KUMAR, S. - KANG, T.W. - LEE, N.H. - KIM, T.W. In JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY. APR 2014, vol. 64, no. 8, p. 1128-1131.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2001

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2001	2000	0.592

Počet záznamov: 1