Properties of thermal SiO2 thin films prepared at 900řC and improved Ar annealing

Počet záznamov: 1

Názov	Properties of thermal SiO2 thin films prepared at 900řC and improved Ar annealing
Autor	Kopáni M.
Spoluautori	Dillinger J.
	Pospíšilová P.
	Sasinková Vlasta 1954-
	Rusnák Jaroslav 1958 ^ORCID
	Záhora Juraj SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
	Pinčík Emil 1956 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Proc. 3rd Int.Workshop Solid State Surfaces and Interfaces III, Smolenice, Nov.19-21, 2002. P. 46 / Gmucová Katarína 1955 ; Brunner Róbert 1954. - Bratislava : Comenius Univ.Press, 2002
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	SK - Slovenská republika
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2002

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2002

Počet záznamov: 1