Počet záznamov: 1  

Crystal growth of 3C-SiC polytype on 6H-SiC (0001) substrate

  1. NázovCrystal growth of 3C-SiC polytype on 6H-SiC (0001) substrate
    Autor Diani M.
    Spoluautori Simon L.

    Kubler L.

    Aubel D.

    Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV    SCOPUS    ORCID

    Chenevier B.

    Madar R.

    Audier M.

    Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Vol. 235 (2002), p. 95-102
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    KategóriaADC
    Rok vykazovania2002
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2002
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.