Metal oxide gate electrodes for advanced CMOS technology

Počet záznamov: 1

Názov	Metal oxide gate electrodes for advanced CMOS technology
Autor	Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Öszi Zsolt SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hooker J.C.
	Fanciulli M.
	Wiemer C.
	Dimoulas A.
	Vellianitis G.
	Roozeboom F.

Zdroj.dok.	Annalen der Physik. Vol. 13 (2004), p. 31
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	DE - Nemecko
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	Li, Z Schram, T Pantisano, L Conard, T Van Elshocht, S Deweerd, W De Gendt, S De Meyer, K Stesmans, A Shamuilia, S Afanas'ev, VV Akheyar, A Brunco, DP Yamada, N Lehnen, P JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-8979, FEB 1 2007, vol. 101, no. 3.
	LI, Q. - WANG, S.J. - LI, K.B. - HUAN, A.C.H. - CHAI, J.W. - PAN, J.S. - ONG, C.K. APPLIED PHYSICS LETTERS. ISSN 0003-6951, DEC 20 2004, vol. 85, no. 25, p. 6155-6157.
	KIM, Hyun Min - LEE, Jong Hoon - YOM, Ahram - LEE, Han Sol - KIM, Dong Geun - KO, Dong Wan - KIM, Hong Seung - AHN, Ji-Hoon. Low-resistivity SrRuO3 thin films formed on SiO2 substrates without buffer layer by RF magnetron sputtering. In JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, vol. 857, no., pp. ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.157627.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2004

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2004

Počet záznamov: 1