Počet záznamov: 1  

Material properties of graded composition InxGa1-xP buffer layers grown on GaP by organometallic vapor phase epitaxy

  1. NázovMaterial properties of graded composition InxGa1-xP buffer layers grown on GaP by organometallic vapor phase epitaxy
    Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Vávra Ivo 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Šatka A.

    Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Vol. 272, (2004), p. 633-641
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaNL - Holandsko
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasySHARMA, T.K. - DIXIT, V.K. - GANGULI, T. - SINGH, S.D. - PORWAL, S. - KUMAR, R. - TIWARI, P. - NATH, A.K. In SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. JUL 2008, vol. 23, no. 7.
    SUN, Y.R. - LI, K.L. - DONG, J.R. - ZENG, X.L. - ZHAO, Y.M. - YU, S.Z. - ZHAO, C.Y. - YANG, H. In JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. OCT 15 2013, vol. 381, p. 70-76.
    Gillan, E.G. In Reference Module in Chemistry, Molecular Sciences and Chemical Engineering Comprehensive Inorganic Chemistry II (Second Edition) From Elements to Applications. Elsevier: 2013, Pp 969–1000
    LU, X.F. - LI, L.X. - GUO, X. - REN, J.Q. - XUE, H.T. - TANG, F.L. The controllable electronic characteristics and Schottky barrier of graphene/GaP heterostructure via interlayer coupling and in-plane strain. In MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS. ISSN 0921-5107, OCT 2022, vol. 284. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2022.115882.
    WANG, J.X. - WEI, X. - XUAN, J.Z. - ZHANG, Y. - FAN, J.B. - NI, L. - YANG, Y. - LIU, J. - TIAN, Y. - MA, S. - DUAN, L. Theoretical design of a photodetector based on a two-dimensional SnSesub2/sub/GaP type-II heterostructure. In CRYSTENGCOMM. APR 11 2023, vol. 25, no. 15, p. 2326-2338. Dostupné na: https://doi.org/10.1039/d2ce01704k.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2004
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2004
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.