Počet záznamov: 1
Rapid thermal annealing and performance of Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor structures
Názov Rapid thermal annealing and performance of Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor structures Autor Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Georgakilas A. Pogany D. Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. ASDAM 2006 : proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 197-200. - Piscataway : IEEE, 2006 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Jazyk dok. eng - angličtina Krajina SK - Slovenská republika Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Ohlasy KIM, H.D. - KIM, S. - YUN, M.J. Self-rectifying resistive switching behavior observed in Al2O3-based resistive switching memory devices with p-AlGaN semiconductor bottom electrode. In JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS. APR 25 2018, vol. 742, p. 822-827. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2006 
článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2006
Počet záznamov: 1