Počet záznamov: 1
Fixed oxide charge in Ru-based chemical vapour deposited high-? gate stacks
Názov Fixed oxide charge in Ru-based chemical vapour deposited high-? gate stacks Autor Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Lupták Roman SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Weber U. Baumann P.K. Lindner J. Zdroj.dok. / Gusev E.P. Defects in high-K gate dielectric stacks. P. 277-286 : nano-electronic semiconductor devices : proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on defects in Advanced High-K Dielectric Nano-electronicc Semiconductor Devices, St. Petetburg, Russia, July 11-14, 2005. - Dordrecht : Springer, 2006 Jazyk dok. eng - angličtina Krajina DE - Nemecko Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2006 článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2006
Počet záznamov: 1