Fixed oxide charge in Ru-based chemical vapour deposited high-? gate stacks

Počet záznamov: 1

Názov	Fixed oxide charge in Ru-based chemical vapour deposited high-? gate stacks
Autor	Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Lupták Roman SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Weber U.
	Baumann P.K.
	Lindner J.

Zdroj.dok.	/ Gusev E.P. Defects in high-K gate dielectric stacks. P. 277-286 : nano-electronic semiconductor devices : proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on defects in Advanced High-K Dielectric Nano-electronicc Semiconductor Devices, St. Petetburg, Russia, July 11-14, 2005. - Dordrecht : Springer, 2006
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	DE - Nemecko
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok
Rok vykazovania	2006

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2006

Počet záznamov: 1