Počet záznamov: 1
RF characterization and modeling of AlGaN/GaN based HFETs and MOSHFETs
Názov RF characterization and modeling of AlGaN/GaN based HFETs and MOSHFETs Autor Fox A. Spoluautori Marso M. Heidelberg G. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2006 : proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 109-112. - Piscataway : IEEE, 2006 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Jazyk dok. eng - angličtina Krajina US - Spojené štáty Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2006 článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2006
Počet záznamov: 1