Czochralski-grown nitrogen-doped silicon: Electrical properties of MOS structures; A positron annihilation study

Počet záznamov: 1

Názov	Czochralski-grown nitrogen-doped silicon: Electrical properties of MOS structures; A positron annihilation study
Autor	Harmatha L.
Spoluautori	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Slugeň V.
	Ballo P.
	Písečný Pavol SAVINFO - Ústav informatiky SAV
	Šik J.
	Kögel G.

Zdroj.dok.	Microelectronics Journal. Vol. 37 (2006), p. 283
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	NL - Holandsko
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	COLEMAN, P. G. Defect profiles in semiconductor structures. In PHYSICA STATUS SOLIDI C CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4, NO 10, 2007, vol. 4, no. 10, pp. 3620-3626. ISSN 1862-6351. Dostupné na: https://doi.org/10.1002/pssc.200675750.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2006
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.mejo.2005.04.059

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2006	2005	0.350	Q3

Počet záznamov: 1